三星1c nm dram 内存良率提升至80%

三星电子近期宣称，它的1c nm制程DRAM内存良率已经提升至80%，这明显比去年第四季度的60%到70%好得多。ETNEWS报道，三星的这一DRAM内存在高温热测试中达到了80%的良品率，这表明其量产成熟度已经显著提高，商业盈利能力也因此增强。一般来说，DRAM大规模生产的良率通常要求在80%到90%之间。三星方面估计，这个新一代工艺将在五月左右达到90%的良品率。同时，三星基于1c nm DRAM开发的HBM4 AI内存良率也有所改善，从去年第四季度的50%提升到接近60%。这样一来，三星就能够在有限产能下生产更多HBM，从而在高利润市场获得更多收益。除了良率提升外，三星电子的1c nm产能也在同步增加。2025年末时，这一工艺的月晶圆投片量只有6万片，而到2026年下半年将升至20万片。这次进展得益于AI技术的应用和IT行业对高性能存储需求的增加。DRAM和HBM4都属于高性能存储解决方案，对于人工智能应用非常重要。三星作为全球领先的芯片制造商之一，这些进展展示了其在这个领域的领先地位。总体来看，三星电子在推动新一代技术方面取得了令人瞩目的进展。