3月3日13时31分,中国科学院院士、清华大学物理系教授王崇愚在北京逝世,享年93岁。
这位我国计算材料物理领域的开拓者,用毕生精力在微观电子结构与宏观材料性能之间架起了一座理论桥梁,为国家重大工程和材料科学发展留下了宝贵的学术遗产。
王崇愚1932年10月出生于辽宁丹东,1950年考入北洋大学物理冶金专业。
1952年全国院系调整后转入清华大学学习,1958年进入冶金部钢铁研究总院工作,历任技术员、工程师、高级工程师、教授等职务。
1993年当选中国科学院院士,1999年重返清华大学物理系任教。
这位跨越新中国成立前后两个时代的科学家,将个人学术追求与国家战略需求紧密结合,成为新中国材料科学发展的重要见证者和推动者。
上世纪60年代,"两弹一星"工程进入攻坚阶段,导弹控制系统对高导磁材料提出了严苛要求。
王崇愚带领团队承担了这项关系国防安全的重大任务。
在反复实验与理论分析中,他们取得了突破性发现:合金中微量的氧元素并非传统认知中的"有害杂质",而是控制材料导磁特性的关键因素。
这一认识颠覆了当时的材料设计理念。
基于这一发现,研究团队创造性地提出"充氧工艺",通过精确控制合金中的氧含量,成功使多类磁性合金的最大磁导率和恒磁导率达到军工标准。
这项技术突破随后应用于国产"东风"系列导弹的研制,为我国战略武器装备的自主化提供了关键材料保障。
这段经历不仅体现了王崇愚敏锐的科学洞察力,更展现了老一辈科学家在艰苦条件下攻克技术难关的坚韧意志。
在应用研究取得成功后,王崇愚将目光投向更深层次的理论探索。
他长期致力于材料缺陷电子理论的基础性研究,提出并发展了多尺度跨层次序列算法及协同算法,建立了相应的理论研究框架以及缺陷能量学表述和处理模式。
这套理论体系将量子力学层面的电子结构计算与宏观尺度的材料性能预测有机结合,为高性能合金设计、材料缺陷调控等领域提供了系统的理论工具。
王崇愚的学术贡献不仅体现在科研成果上,更在于他为我国培养了大批材料物理领域的优秀人才。
数十年如一日坚持教书育人,他以严谨的治学态度和对学生的真挚关怀,影响了几代科研工作者。
许多学生回忆,王崇愚总是鼓励他们将基础理论研究与国家实际需求相结合,既要仰望学术星空,也要脚踏祖国大地。
从高导磁材料的工程应用到计算材料物理的理论建构,王崇愚的学术生涯贯穿了新中国材料科学从无到有、从弱到强的发展历程。
他所创立的多尺度计算方法,至今仍是国际材料科学研究的重要工具,为新材料的设计与开发提供着理论指导。
在当前我国加快实现高水平科技自立自强的背景下,他的学术思想和研究范式具有重要的现实意义。
一位科学家的离去，留下的不只是成果与荣誉，更是一套把国家需要、科学问题与方法创新紧密连接的工作方式。
面向新一轮科技革命和产业变革，沿着前辈开辟的道路，持续夯实基础理论、强化原创算法、坚持问题导向与人才为本，方能在关键材料领域不断取得突破，为高水平科技自立自强提供更坚实的支撑。