我国突破硅锗单光子探测芯片关键技术 短波红外探测成本降至民用级

(问题)短波红外探测具备穿透雾霾烟尘、弱光成像和材质识别等优势,被视为新一代成像与测量的重要方向;随着夜间摄影、自动驾驶感知、工业无损检测、安防监测等需求升温,有关应用增长明显。但长期以来,高端探测器件多依赖铟镓砷等材料体系,受磷化铟衬底成本高、工艺链条相对封闭、与硅基CMOS兼容性不足等因素影响——器件价格居高不下——规模化应用推进较慢。

从“用特种工艺做小众高端”到“在通用产线上做规模产品”,短波红外探测路线的变化,反映出技术创新正从单点突破迈向工程体系化;面向更广阔的民用场景,决定竞争力的不仅是实验指标,更是工艺可复制、产能可爬坡、应用可闭环的系统能力。随着硅锗工艺、专用产线与应用牵引合力推进,短波红外探测有望在更多终端实现从“可用”到“好用、用得起”的跨越。